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摘要:本文件规定了硅外延片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。本文件适用于以硅单晶片为衬底,通过气相外延生长工艺制备的硅外延片。
Title:Silicon epitaxial wafers
中国标准分类号:H23
国际标准分类号:25.160.30
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拓展解读
GBT 14139-2009 是中国国家标准,用于规范硅外延片的质量要求和技术指标。以下是关于该标准的一些常见问题及其解答。
GBT 14139-2009 主要用于规范硅外延片的技术要求和质量检测方法,适用于半导体器件制造中使用的硅外延片。它规定了硅外延片的结构、性能参数、测试方法以及检验规则等,为生产和使用提供了统一的标准。
根据 GBT 14139-2009,硅外延片的主要技术指标包括:
这些指标直接影响外延片在半导体器件中的应用性能。
厚度均匀性是指硅外延片上不同位置的厚度差异。GBT 14139-2009 要求厚度均匀性需控制在一定范围内,通常通过光学干涉法或机械接触法进行测量。良好的厚度均匀性可以保证器件性能的一致性。
电阻率均匀性指的是外延层中不同区域的电阻率差异。这一指标对外延片的电学性能至关重要,尤其在功率器件和高频器件中。GBT 14139-2009 对电阻率均匀性的要求通常通过四探针法或其他电学测试方法进行验证。
表面颗粒度是指外延片表面微小颗粒的数量和大小分布。GBT 14139-2009 要求颗粒度需符合特定标准,以避免影响器件的光刻和蚀刻工艺。通常通过显微镜或激光散射仪进行检测。
外延层厚度不能通过简单工具直接测量,而是需要借助专业的设备如椭偏仪或X射线衍射仪进行精确测量。GBT 14139-2009 提供了详细的测量方法和误差范围。
晶体完整性是指外延片内部晶体结构的完整性和缺陷密度。高质量的硅外延片应具有较低的位错密度和无明显晶界缺陷。GBT 14139-2009 规定了晶体完整性可通过化学腐蚀法或电子显微镜观察来评估。
表面粗糙度直接影响器件的接触电阻和漏电流。GBT 14139-2009 要求表面粗糙度需满足特定值,通常通过原子力显微镜(AFM)进行测量。过高的表面粗糙度可能导致器件失效。
选择供应商时,应关注以下几点:
确保供应商能够稳定提供符合标准的产品是关键。
如果发现外延片不符合标准要求,应立即停止使用并联系供应商进行确认。可能的原因包括生产工艺问题或运输过程中的损伤。必要时可重新检测或更换批次。