SJ/T 10627-1995 标准详情

SJ/T 10627-1995 现行
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

标准内容导航

标准状态

1995-04-22
1995-10-01

标准信息

电子工业部
制定
电子
行业标准
现行
SJ/T 10627-1995
通过测量间隙氧含量的减少表征硅片氧沉淀特性的方法

相似标准推荐

国家标准
GB/T 30860-2014 现行
太阳能电池用硅片表面粗糙度及切割线痕测试方法
Test methods for surface roughness and saw mark of silicon wafers for solar cells
发布日期2014-07-24
实施日期2015-04-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
国家标准
GB/T 26067-2010 现行
硅片切口尺寸测试方法
Standard test method for dimensions of notches on silicon wafers
发布日期2011-01-10
实施日期2011-10-01
CCS分类H80
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 19922-2005 现行
硅片局部平整度非接触式标准测试方法
Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning
发布日期2005-09-19
实施日期2006-04-01
CCS分类H17
ICS分类77.040.01
国家标准
GB/T 13388-2009 现行
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
Method for measuring crystallographic orientation of flats on single-crystal silicon slices and wafers by X-ray techniques
发布日期2009-10-30
实施日期2010-06-01
CCS分类H80
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 26068-2018 现行
硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
发布日期2018-12-28
实施日期2019-11-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
国家标准
GB/T 6621-2009 现行
硅片表面平整度测试方法
Testing methods for surface flatness of silicon slices
发布日期2009-10-30
实施日期2010-06-01
CCS分类H80
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 11073-2007 现行
硅片径向电阻率变化的测量方法
Standard method for measuring radial resistivity variation on silicon slices
发布日期2007-09-11
实施日期2008-02-01
CCS分类H17
ICS分类77.040.01
国家标准
GB/T 19444-2025 现行
硅片氧沉淀特性的测试 间隙氧含量减少法
Test method for oxygen precipition characteristics of silicon wafers—Interstitial oxygen reduction
发布日期2025-06-30
实施日期2026-01-01
CCS分类H21
ICS分类77.040
地方标准
DB31/ 792-2020 现行
硅单晶及其硅片单位产品能源消耗限额
发布日期2020-03-25
实施日期2020-06-01
CCS分类F01
ICS分类ICS 27.010
国家标准
GB/T 6619-2009 现行
硅片弯曲度测试方法
Test methods for bow of silicon wafers
发布日期2009-10-30
实施日期2010-06-01
CCS分类H80
ICS分类29.045
地方标准
DB15/T 1833-2025 现行
草地鼢鼠防治技术规程
发布日期2025-02-28
实施日期2025-03-28
CCS分类B05
ICS分类65.020.01