T/IAWBS 006-2018 标准详情
T/IAWBS 006-2018
现行
碳化硅混合模块测试方法
Test methods for hybrid silicon carbide modules
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标准状态
标准信息
适用范围
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。
主要技术内容
本标准规定了由硅基绝缘栅双极晶体管（IGBT）以及碳化硅肖特基二极管构成的混合功率半导体模块的术语、文字符号、基本额定值和特性以及测试方法等产品特性要求。本标准规定了极限值试验，特性参数测试、耐久性测试，根据特性参数确认模块特性，由此判断是否通过极限值试验。参数包括（集电极-发射极电压VCES, 二极管反向电压VR、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压±VGES、最大集电极电流IC、二极管正向（直流）电流IF、集电极峰值电流ICM、二极管正向峰值电流IFM、反偏安全工作区RBSOA、短路安全工作区1 SCSOA1、二极管正向（不重复）浪涌电流IFSM、端子和底板之间的绝缘电压Visol等）。本标准还规定了检测报告中应给出的信息。
起草单位
中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、中国科学院电工研究所、北京天科合达半导体股份有限公司、北京世纪金光半导体有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司
起草人
张瑾，仇志杰，陆敏，彭同华，刘振洲，王志超，陈彤，郑红军，林雪如，陈鹏，刘祎晨
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