首页› 仪器› JB/T 11623-2013

JB/T 11623-2013 标准详情

JB/T 11623-2013 现行
平面厚膜半导体气敏元件

标准内容导航

标准状态

2013-12-31
2014-07-01

标准信息

工业和信息化部
机械工业仪器仪表元器件标准化技术委员会
制定
N05
31.080.99
无
机械
行业标准
现行
JB/T 11623-2013
平面厚膜半导体气敏元件

起草单位

郑州炜盛电子科技有限公司、沈阳仪表科学研究院等

起草人

张小水、祁明锋 等

相似标准推荐

行业标准
SJ/T 11818.3-2022 现行
半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.26
国家标准
GB/T 15651.4-2017 现行
半导体器件 分立器件 第5-4部分:光电子器件 半导体激光器
Semiconductor devices—Discrete devices—Part 5-4:Optoelectronic devices—Semiconductor lasers
发布日期2017-05-31
实施日期2017-12-01
CCS分类L51
ICS分类31.260
国家标准
GB/T 20522-2006 现行
半导体器件 第14-3部分: 半导体传感器-压力传感器
Semiconductor devices Part 14-3: Semiconductor sensors - Pressure sensors
发布日期2006-08-23
实施日期2007-02-01
CCS分类L40
ICS分类31.080.01
地方标准
DB31/ 374-2024 现行
半导体行业污染物排放标准
发布日期2024-02-29
实施日期2024-05-01
CCS分类Z60
ICS分类13.040.40
国家标准
GB/T 34971-2017 现行
半导体制造用气体处理指南
Guide for gaseous effluent handling in semiconductor industry
发布日期2017-11-01
实施日期2018-02-01
CCS分类G86
ICS分类71.040.40
国家标准
GB/T 7092-2021 现行
半导体集成电路外形尺寸
Outline dimensions of semiconductor integrated circuits
发布日期2021-03-09
实施日期2021-10-01
CCS分类L55
ICS分类31.200
国家标准
GB/T 45716-2025 现行
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)
发布日期2025-05-30
实施日期2025-09-01
CCS分类L40
ICS分类31.080.01
国家标准
GB/T 15652-1995 现行
金属氧化物半导体气敏元件总规范
Generic specification for gas sensors of metal-oxide semiconductor
发布日期1995-07-24
实施日期1996-04-01
CCS分类L15
ICS分类31.020
国家标准
GB/T 36359-2018 现行
半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for lower power light-emitting diodes
发布日期2018-06-07
实施日期2019-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.260
国家标准
GB/T 43136-2023 现行
超硬磨料制品 半导体芯片精密划切用砂轮
Superabrasive products—Precision dicing and cutting wheels for semiconductor chips
发布日期2023-09-07
实施日期2024-04-01
CCS分类J43
ICS分类25.100.70
国家标准
GB/T 15529-1995 现行
半导体发光数码管空白详细规范
Blank detail specification for LED numeric displays
发布日期1995-04-06
实施日期1995-11-01
CCS分类L45
ICS分类31.080.99
国家标准
GB/T 4728.5-2018 现行
电气简图用图形符号 第5部分：半导体管和电子管
Graphical symbols for electrical diagrams—Part 5：Semiconductors and electron tubes
发布日期2018-07-13
实施日期2019-02-01
CCS分类K04
ICS分类29.020
行业标准
JB/T 8453-1996 现行
半导体变流器 第五部分 不间断电源设备用开关（UPS开关)
发布日期1996-09-03
实施日期1997-01-01
CCS分类
ICS分类
国家标准
GB/T 35010.5-2018 现行
半导体芯片产品 第5部分：电学仿真要求
Semiconductor die products—Part 5：Requirements for concerning electrical simulation
发布日期2018-03-15
实施日期2018-08-01
CCS分类L55
ICS分类31.200
行业标准
SJ/T 10149-1991 现行
电子元器件图形库 半导体分立器件图形
发布日期1991-04-02
实施日期1991-07-01
CCS分类
ICS分类
行业标准
SJ/T 10071-1991 现行
半导体集成电路CH2022型4位移位寄存器详细规范
发布日期1991-04-08
实施日期1991-07-01
CCS分类
ICS分类
行业标准
SJ/T 10685-1995 现行
半导体调幅广播收音机用中频变压器及振荡线圈
发布日期1995-09-12
实施日期1996-01-01
CCS分类
ICS分类
行业标准
SJ/T 11818.2-2022 现行
半导体紫外发射二极管 第2部分：芯片规范
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.26
国家标准
GB/T 29856-2013 现行
半导体性单壁碳纳米管的近红外光致发光光谱表征方法
Characterization of semiconducting single-walled carbon nanotubes using near infrared photoluminescence spectroscopy
发布日期2013-11-12
实施日期2014-04-15
CCS分类G12
ICS分类71.060.99
国家标准
GB/T 21548-2021 现行
光通信用高速直接调制半导体激光器的测量方法
Methods of measurement of the high speed semiconductor lasers directly modulated for optical fiber communication systems
发布日期2021-04-30
实施日期2021-08-01
CCS分类M31
ICS分类31.260
国家标准
GB/T 36360-2018 现行
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
发布日期2018-06-07
实施日期2019-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.260
行业标准
SJ/T 10139-1991 现行
半导体调频广播接收机用中频变压器
发布日期1991-04-02
实施日期1991-07-01
CCS分类
ICS分类
行业标准
JB/T 8736-1998 现行
电力半导体模块用氮化铝陶瓷基片
发布日期1998-05-28
实施日期1998-11-01
CCS分类
ICS分类
行业标准
SJ/T 11818.1-2022 现行
半导体紫外发射二极管 第1部分：测试方法
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.26
行业标准
YY/T 1751-2020 现行
激光治疗设备 半导体激光鼻腔内照射治疗仪
发布日期2020-09-27
实施日期2021-09-01
CCS分类C41
ICS分类11.040.60
行业标准
JB/T 12120-2015 现行
风冷式干排渣系统
发布日期2015-04-30
实施日期2015-10-01
CCS分类J88
ICS分类13.030.40