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GB/T 45716-2025 标准详情

GB/T 45716-2025 现行
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

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标准状态

2025-05-30
2025-09-01

标准信息

工业和信息化部（电子）
国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会
工业和信息化部（电子）
该标准采用国际标准
L40
31.080.01
国家标准
现行
GB/T 45716-2025
半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验
Semiconductor devices—Bias temperature instability test for metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs)

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