《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》标准查询解读、电子版标准下载

SJ/T 11398-2009 现行
功率半导体发光二极管芯片技术规范

《SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范》标准内容导航

标准状态

2009-11-17
2010-01-01

标准信息

工业和信息化部
中国电子技术标准化研究所
制定
L45
电子
行业标准
现行
SJ/T 11398-2009
功率半导体发光二极管芯片技术规范

起草单位

中国电子科技集团公司第十三研究所、厦门三安电子有限公司等

起草人

崔波、张万生 等

相似标准推荐

国家标准
GB/T 34971-2017 现行
半导体制造用气体处理指南
Guide for gaseous effluent handling in semiconductor industry
发布日期2017-11-01
实施日期2018-02-01
CCS分类G86
ICS分类71.040.40
地方标准
DB32/ 3747-2020 现行
半导体行业污染物排放标准
发布日期2020-02-06
实施日期2020-04-01
CCS分类Z60
ICS分类13.020.40
行业标准
SJ/T 2658.1-2015 现行
半导体红外发射二极管测量方法 第1部分:总则
发布日期2015-10-10
实施日期2016-04-01
CCS分类L53
ICS分类31.080
团体标准
T/SZBSIA 006-2025 现行
IC类半导体固晶机技术规范
发布日期2025-12-02
实施日期2025-12-02
CCS分类
ICS分类
行业标准
JB/T 6307.5-1994 现行
电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥
发布日期1994-12-09
实施日期1995-06-01
CCS分类
ICS分类
国家标准
GB/T 7576-2026 即将实施
半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范
Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for high power bipolar transistors
发布日期2026-03-31
实施日期2026-10-01
CCS分类L40
ICS分类31.080.30
团体标准
T/GSEE 0011-2023 现行
高压交流电路半导体开关设备技术规范
Technical specifications for high-voltage AC circuits semiconductor switchgear
发布日期2023-12-05
实施日期2023-12-05
CCS分类
ICS分类29.130.10 高压开关装置和控制器
团体标准
T/CASAS 015-2022 现行
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法
Power cycling test method for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor(SiC MOSFET)
发布日期2022-07-18
实施日期2022-07-18
CCS分类
ICS分类31.080.01 半导体器分立件综合
国家标准
GB/T 6217-2026 即将实施
半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范
Discrete semiconductor devices—Blank detail specification for low power bipolar transistors
发布日期2026-03-31
实施日期2026-10-01
CCS分类L42
ICS分类31.080.30
行业标准
SJ/T 10149-1991 现行
电子元器件图形库 半导体分立器件图形
发布日期1991-04-02
实施日期1991-07-01
CCS分类
ICS分类
行业标准
JB/T 8661-1997 现行
电力半导体模块结构件
发布日期1997-12-17
实施日期1998-02-01
CCS分类
ICS分类
国家标准
GB/T 35010.8-2018 现行
半导体芯片产品 第8部分:数据交换的EXPRESS格式
Semiconductor die products—Part8: EXPRESS model schema for data exchange
发布日期2018-03-15
实施日期2018-08-01
CCS分类L55
ICS分类31.200
团体标准
T/CASAS 006-2020 现行
碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范
The general specification for silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor
发布日期2020-12-28
实施日期2021-01-01
CCS分类
ICS分类29.045
国家标准
GB/T 36360-2018 现行
半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范
Semiconductor optoelectronic devices—Blank detail specification for middle power light-emitting diodes
发布日期2018-06-07
实施日期2019-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.260
行业标准
YY/T 1751-2020 现行
激光治疗设备 半导体激光鼻腔内照射治疗仪
发布日期2020-09-27
实施日期2021-09-01
CCS分类C41
ICS分类11.040.60
行业标准
SJ/T 11818.1-2022 现行
半导体紫外发射二极管 第1部分:测试方法
发布日期2022-10-20
实施日期2023-01-01
CCS分类L53
ICS分类31.26
行业标准
JC/T 2064-2011 现行
半导体用透明石英玻璃棒
发布日期2011-12-20
实施日期2012-07-01
CCS分类Q35
ICS分类81.040.30
行业标准
SJ/T 1486-2016 现行
半导体分立器件 3CG180型硅PNP高频高反压小功率晶体管详细规范
发布日期2016-04-05
实施日期2016-09-01
CCS分类L42
ICS分类31.080.30
团体标准
T/CCGA 90004-2023 现行
泛半导体用尾气处理设备分解 移除效率的测试方法
发布日期2023-12-18
实施日期2024-01-18
CCS分类
ICS分类
国家标准
GB/T 14048.12-2016 废止
低压开关设备和控制设备 第4-3部分:接触器和电动机起动器 非电动机负载用交流半导体控制器和接触器
Low-voltage switchgear and controlgear—Part 4-3: Contactors and motor-starters—AC semiconductor controllers and contactors for non-motor loads
发布日期2016-12-13
实施日期2017-07-01
CCS分类K32
ICS分类29.130.20
国家标准
GB/T 37131-2018 现行
纳米技术 半导体纳米粉体材料紫外-可见漫反射光谱的测试方法(外文版EN)
Nanotechnologies—Test method of semiconductor nanopowder using UV-Vis diffuse reflectance spectroscopy
发布日期2023-11-02
实施日期
CCS分类G10
ICS分类17.18
国家标准
GB/T 3859.4-2004 现行
半导体变流器 包括直接直流变流器的半导体自换相变流器
Semiconductor converter--Self-commutated semiconductor converters including direct d.c.converters
发布日期2004-05-14
实施日期2005-02-01
CCS分类K46
ICS分类29.200
行业标准
SJ/T 2658.13-2015 现行
半导体红外发射二极管测量方法 第13部分:辐射功率温度系数
发布日期2015-10-10
实施日期2016-04-01
CCS分类L53
ICS分类31.080
行业标准
SJ/T 1472-2016 现行
半导体分立器件 3CG110型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
发布日期2016-04-05
实施日期2016-09-01
CCS分类L42
ICS分类31.080.30
国家标准
GB/T 30116-2013 现行
半导体生产设施电磁兼容性要求
Requirements for semiconductor manufacturing facility electromagnetic compatibility
发布日期2013-12-17
实施日期2014-04-15
CCS分类L95
ICS分类
行业标准
SJ/T 11452-2013 现行
电真空器件用推板炉能源消耗规范
发布日期2013-10-17
实施日期2013-12-01
CCS分类L01
ICS分类