半导体材料
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YST 838-2012 碲化镉
碲化镉
薄膜太阳能电池
光电转换效率
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YST 979-2014 高纯三氧化二镓
三氧化二镓
高纯
化学成分
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DZ 65-1988 熔炼水晶技术要求
熔炼水晶
技术要求
晶体纯度
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GB 11073-1989 硅片径向电阻率变化的测量方法
硅片
径向电阻率
测量方法
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GB 8756-1988 锗晶体缺陷图谱
锗晶体
缺陷图谱
半导体材料
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GBT 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置
碳化硅
单晶生长
电热装置
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GBT 10118-1988 高纯镓
高纯镓
化学成分
金属材料
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GBT 10118-2023 高纯镓
高纯镓
金属镓
化学分析
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GBT 11071-1989 区熔锗锭
区熔锗锭
半导体材料
锗
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GBT 11071-2006 区熔锗锭
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锗
半导体材料
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GBT 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片
锑化铟
多晶
单晶
8 浏览量2025-06-09上传pdf0.43MB暂未评分
GBT 11071-2018 区熔锗锭
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半导体材料
锗
7 浏览量2025-06-09上传pdf0.36MB暂未评分
GBT 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
锑化铟
多晶
单晶
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GBT 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
硅片
径向电阻率
测量方法
6 浏览量2025-06-09上传pdf0.83MB暂未评分
GBT 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
砷化镓
单晶
切割片
9 浏览量2025-06-09上传pdf0.35MB暂未评分