GB 8756-1988 锗晶体缺陷图谱
锗晶体
缺陷图谱
半导体材料

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GBT 10067.417-2023 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分:碳化硅单晶生长装置
碳化硅
单晶生长
电热装置

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GBT 10118-1988 高纯镓
高纯镓
化学成分
金属材料

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GBT 10118-2023 高纯镓
高纯镓
金属镓
化学分析

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GBT 11071-1989 区熔锗锭
区熔锗锭
半导体材料

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GBT 11071-2006 区熔锗锭
区熔锗锭
半导体材料

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GBT 11072-1989 锑化铟多晶、单晶及切割片
锑化铟
多晶
单晶

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GBT 11071-2018 区熔锗锭
区熔锗锭
半导体材料

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GBT 11072-2009 锑化铟多晶、单晶及切割片
锑化铟
多晶
单晶

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GBT 11073-2007 硅片径向电阻率变化的测量方法
硅片
径向电阻率
测量方法

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GBT 11093-1989 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
砷化镓
单晶
切割片

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GBT 11093-2007 液封直拉法砷化镓单晶及切割片
砷化镓
单晶
切割片

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GBT 11094-2007 水平法砷化镓单晶及切割片
砷化镓
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GBT 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片
砷化镓
单晶
切割片

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GBT 12962-2005 硅单晶
硅单晶
半导体材料
晶体质量

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